Advanced Electronic Materials
07 September 2020
基于 TiO2 纳米线的忆阻器中等离子体诱导氧空位的无声突触激活
Xuanyu Shan, Zhongqiang Wang,Ya Lin, Tao Zeng, Xiaoning Zhao, Haiyang Xu,and Yichun Liu
先进光电功能材料研究中心、紫外发光材料与技术教育部重点实验室（东北师范大学），长春市人民大街5268号，邮编：130024
10.1002/aelm.202000536
在文章编号中 2000536 王中强、徐海洋、刘一春及其同事通过对基于 TiO2 纳米线的忆阻器进行等离子体处理，证明了沉默突触向功能性突触的激活。原始装置充当无突触可塑性的沉默突触，而等离子体处理的装置模仿功能性突触，这有利于扩大人工突触的可塑性。
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