Nanoscale 期刊封面设计服务（b-Si）

Nanoscale

02 Feb 2023

采用形态工程的晶圆级纳米结构黑硅 通过 用于传感和太阳能电池应用的先进锡辅助干法蚀刻

Shaoteng Wu,^*ab Qimiao Chen,^*a Lin Zhang,^a Huixue Ren,^b Hao Zhou,^a Liangxing Hu^a and Chuan Seng Tan^ac 

10.1039/D2NR06493F

提供宽带光抗反射的黑硅 (b-Si) 已成为光电探测器、光电催化、传感器和光伏器件的多功能基板。然而，传统的制造方法存在形貌单一、产量低或易碎等问题。在这项工作中，我们提出了一种高产率 CMOS 兼容技术，用于生产具有多种随机纳米结构的 6 英寸晶圆级 b-Si。 b-Si 是通过对涂有 GeSn 层的 Si 晶片进行基于 O2/SF6 等离子体的反应离子蚀刻 (RIE) 来实现的。在最初的 GeSn 蚀刻过程中形成的 SnOxFy 层的稳定网格充当亚波长 Si 纳米结构形成的自组装硬掩模。获得了具有多种表面形貌的b-Si晶片，例如纳米孔、纳米锥、纳米孔、纳米丘和纳米线。